Широкое развитие полупроводниковой электроники привело к созданию мощных полупроводниковых управляемых приборов (тиристоров), предназначенных для регулирования, преобразования и коммутации больших уровней постоянных и переменных токов при напряжениях до 1 000 в. Применение тиристоров, являющихся полупроводниковыми аналогами управляемых ионных приборов — тиратронов, наиболее эффективно в схемах коммутации, регулирования и преобразования переменного напряжения. В этих схемах управляемость устройств обусловлена отключением тиристоров каждый полупериод при уменьшении протекающего через них тока до уровня тока отключения. 
Поскольку физические процессы в р-п переходах и принцип действия тиристоров достаточно широко освещены в специальной литературе , авторы не рассматривают в настоящей брошюре этих вопросов, уделяя основное внимание построению схем тиристорных переключателей переменного тока (ТППТ), под которыми понимается совокупность коммутирующего устройства на тиристорах и устройства управления ими. Обычно в технической литературе такая совокупность называется тиристорным усилителем и охватывает довольно широкий класс устройств. Рассматриваемые же в настоящей брошюре устройства являются частным случаем тиристорных усилителей, работающих либо в режиме «включено — выключено», либо с дискретно-изменяющимся выходным сигналом.
Поскольку коммутация тиристоров независимо от их использования в схеме регулятора или в схеме коммутирующего устройства наиболее целесообразна при нулевых значениях переменного напряжения (тока), в брошюре уделено особое внимание построению ТППТ, в которых включение тиристоров обеспечивается в начале полупериода питающего напряжения. Коммутация в указанные моменты благоприятна с двух точек зрения: во-первых, отсутствуют высокочастотные помехи, которые неизбежно возникают при мгновенном изменении тока нагрузки, и, во-вторых, отсутствуют перенапряжения, которые могут вызвать выход тиристоров из строя.